双悬臂外延法制备低位错密度GaN HEMT及其位错效应研究

61704058
2017
F0401.半导体材料
刘智崑
青年科学基金项目
副教授
上海交通大学
21万元
低位错密度;高电子迁移率晶体管;双悬臂外延法;GaN;位错效应
2018-01-01到2020-12-31
  • 中英文摘要
  • 结题摘要
  • 结题报告
  • 项目成果
  • 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
重置

未查询到项目成果

查看更多信息请先登录或注册

趋势报告

经验分享